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Universitätsbibliothek
Universitätsbibliographie

Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz


Boldyrjew-Mast, Roman* ; Thiele, Sven ; Schöttler, Nora ; Basler, Thomas ; Lutz, Josef

Gate Oxide Reliability of 1.2 kV and 6.5 kV SiC MOSFETs under Stair-Shaped Increase of Positive and Negative Gate Bias


Universität: Technische Universität Chemnitz
Institut: Professur Leistungselektronik
Dokumentart: Konferenzbeitrag, referiert
ISBN/ISSN: 9784886864222 ; 9781728189857 ; 1946-0201 ; 1063-6854
DOI: doi:10.23919/ISPSD50666.2021.9452301
URL/URN: https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=9452301
Quelle: 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 30.05 - 03.06.2021, Nagoya (Japan), 243-246. - IEEE, 2021
Freie Schlagwörter (Englisch): gate oxide reliability , silicon carbide , SiC MOSFETs , threshold voltage drift , bias temperature instability

 

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