Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Boldyrjew-Mast, Roman* ; Lutz, Josef
Reliability of GaN GIT Devices in Power Cycling Tests with RDS(on)(T) and VGS(T) for Junction Temperature Calculation
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Konferenzbeitrag, referiert | |
| ISBN/ISSN: | 978-3-8007-5245-4 ; 2191-3358 | |
| Quelle: | International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, PCIM Europe digital days 2020, 07. - 08.07.2020, Nuremberg, pp. 653 - 660. - Berlin, Offenbach : VDE VERLAG GMBH, 2020 | |
| Freie Schlagwörter (Englisch): | semiconductor power devices , gate injection transistors , gallium nitride , heterojunction field effect transistors , power cycling test , junction temperature calculation |
