Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Palanisamy, Shanmuganathan ; Lutz, Josef ; Basler, Thomas ; Boldyrjew-Mast, Roman
Thermomechanical behaviour of inverse diode in SiC MOSFETs under surge current stress
Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
Institut: | Professur Leistungselektronik | |
Dokumentart: | Konferenzbeitrag, referiert | |
ISBN/ISSN: | 978-1-7281-3199-3 | |
Quelle: | International Reliability Physics Symposium (IRPS), 3 days, Dallas, Texas- Converted to online conference, 1-6, 2020 | |
Freie Schlagwörter (Englisch): | 4H-SiC , SiC MOSFET , inverse diode , surge current ruggedness , thermomechanical failure , aluminium modification , HTRB , HTGB , bipolar degradation |