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Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz


Lutz, Josef ; Baburske, Roman ; Schulze, Hans-Joachim ; Siemieniec, Ralf
Infineon Technologies Austria AG

Bipolares Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdiode

Bipolar Semiconductor Device and Method for production of a Semiconductor Diode


Kurzfassung

Bipolares Halbleiterbauelement (100), aufweisend: – einen Halbleiterkörper (20) mit einer ersten horizontalen Oberfläche (15), einer zur ersten Oberfläche (15) parallel verlaufenden zweiten Oberfläche (16) und mindestens einem Last-pn-Übergang (11), wobei eine Sperrichtung des Last-pn-Übergangs mit einer Sperrichtung des bipolaren Halbleiterbauelements (100) übereinstimmt; – eine auf der ersten Oberfläche (15) angeordnete erste Metallisierung (8), welche eine Anodenmetallisierung (8) bildet; – eine auf der zweiten Oberfläche (16) angeordnete zweite Metallisierung (9), welche eine Kathodenmetallisierung (9) bildet; und – eine Anodenstruktur mit mindestens einem ohmschen Strompfad von der ersten Metallisierung (8) zur zweiten Metallisierung (9), der im Halbleiterkörper (20) nur durch n-dotierte Gebiete verläuft, wobei das bipolare Halbleiterbauelement einen dynamischen Anodenemitterwirkungsgrad aufweist.

Universität: Technische Universität Chemnitz
Institut: Professur Leistungselektronik
Dokumentart: Patent (Offenlegungsschrift, Patentschrift, Gebrauchsmusterschrift)
Veröffentlichungsnummer: DE102009047808B4
Veröffentlichungsdatum 25.01.2018
Internationale Patentklassifikation H01L 29/861

 

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