Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Reliability and reliability investigation of wide-bandgap power devices
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Konferenzbeitrag, referiert | |
| ISBN/ISSN: | ISSN: 0026-2714 | |
| DOI: | doi:10.1016/j.microrel.2018.07.001 | |
| Quelle: | Microelectronics Reliability. - 88-90.2018, pp. 550 - 556. - Part of special issue: 29th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis ( ESREF 2018 ) | |
| Freie Schlagwörter (Englisch): | Gate oxide , SiC MOSFET , GaN HEMT , GaN GIT , Power cycling |
