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Universitätsbibliographie

Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz


Pertermann, Eric
Lutz, Josef (Prof. Dr.-Ing.); Kaminski, Nando (Prof. Dr.-Ing.)

Schnelle Dioden mit tiefen Donatoren aus Selen

Fast diodes with deep selenium donators


Kurzfassung in deutsch

Die Anforderungen an schnelle Dioden sind sehr hoch für große Spannungen und große Ströme. Die Beeinflussung des Bauelementverhaltens durch das Design des Dotierprofils mit einem tiefen mehrstufigen Feldstopp aus Selen bildet einen zentralen Punkt der Dissertation. Mit physikalischen Messverfahren werden die in der Literatur nur unzureichend untersuchten Eigenschaften von Selen in Silizium erfasst und als Basis für Bauelementsimulationen verwendet. Für die Untersuchung der Störstelleneigenschaften kommt die klassische aufwändige DLTS zum Einsatz. Des Weiteren werden für diese Untersuchungen die Vorteile der einfacheren frequenzabhängigen Admittanzspektroskopie ausführlich dargelegt. Anhand der Bauelementsimulationen erfolgt ein Vergleich mit Messungen und führt zur Vorstellung und Erläuterung einer verbesserten soften und robusten Diodenstruktur mit tiefen Donatoren aus Selen.

Kurzfassung in englisch

The focus of the following work is the correlation between the field-stop design and the behaviour of high-voltage power diodes. The objective is to present a further improvement of the diode performance using a special field-stop, which optimizes the diode in relation to a soft switching behaviour and an increased robustness. The function of such a field-stop is investigated. Benefits are shown of materials for field-stops with deep impurities in the semiconductor material and of multiple stepped deep field-stop structures. Therefore a central role have silicon diodes with selenium in the field-stop layer. Measurements and simulations with the power device simulator Sentaurus TCAD are done and explain the named correlations. The deep level transient spectroscopy is used as method to analyse the required impurity parameters. Beside this method the evaluation is done by the introduced frequency resolved admittance spectroscopy.

Universität: Technische Universität Chemnitz
Institut: Professur Leistungselektronik
Fakultät: Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Dokumentart: Dissertation
Betreuer: Schulze, Hans-Joachim (Dr.-Ing.); Keutel, Thomas (Dr.-Ing.)
ISBN/ISSN: 978-3-96100-013-5
URL/URN: http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-219603
Quelle: 1. Auflage. - Chemnitz : Universitätsverlag der Technischen Universität Chemnitz, 2017. - XIX, 204 S.
SWD-Schlagwörter: Diode , Schaltverhalten , Impedanzspektroskopie , Robustheit
Freie Schlagwörter (Deutsch): Bauelementsimulation , Admittanzspektroskopie , Selen in Silizium , Charakterisierung von Störstellen , Softness
Freie Schlagwörter (Englisch): diode , switching behaviour , semiconductor device simulation , admittance spectroscopy , selenium in silicon , characterization of impurities , robustness , softness
DDC-Sachgruppe: Elektrizität, Elektronik, Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften
Tag der mündlichen Prüfung 12.12.2016

 

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