Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Beier-Möbius, Menia* ; Lutz, Josef
Breakdown of gate oxide of SiC-MOSFETs and Si-IGBTs under high temperature and high gate voltage
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Konferenzbeitrag, referiert | |
| ISBN/ISSN: | 978-3-8007-4424-4 | |
| Quelle: | PCIM Europe 2017, 16-18May, Nuremberg. - Berlin Offenbach : VDE Verlag GmbH, 2017, S. 365-372 | |
| Freie Schlagwörter (Englisch): | SiC-MOSFET , Si-IGBT , gate oxide , breakdown , threshold voltage drift , intrinsic lifetime extrapolation |
