Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Lutz, Josef ;
Becker, Martin ;
Eisele, Ronald ;
Kock, Martin ;
Osterwald, Frank ;
Rudzki, Jacek
Danfoss Silicon Power
LEISTUNGSHALBLEITERMODUL MIT KURZSCHLUSS-AUSFALLMODUS
Power Semicondutor Module with short-circuit failure mode
Kurzfassung
Es wird ein Leistungshalbleitermodul beschrieben, welches von einem normalen Betriebsmodus in einen explosionsfreien robusten Kurzschlussausfallmodus versetzbar ist. Dieses Leistungshalbleitermodul weist einen Leistungshalbleiter auf, welcher an seiner Oberseite durch Isolierungen und Passivierungen abgetrennte, Potentialflächen bildende Metallisierungen aufweist. Des Weiteren ist eine elektrisch leitende Verbindungsschicht vorgesehen, auf welcher zumindest ein einen geringen lateralen elektrischen Widerstand aufweisender, gegenüber der Verbindungsschicht deutlich dickerer Metallformkörper angeordnet ist, welcher durch Sintern der Verbindungsschicht so aufgebracht ist, dass dieser stofflich mit der jeweiligen Potentialfläche verbunden ist. Der Metallformkörper ist so ausgebildet und mit Mitteln zu einer derartigen lateralen Vergleichmäßigung eines durch ihn fließenden Stromes ausgelegt, dass eine laterale Stromflusskomponente so lange aufrechterhalten bleibt, bis dieses Modul zur Vermeidung einer Explosion abschaltet, wobei der Metallformkörper hochstromfähige Anschlüsse trägt. Ein Übergang aus dem Betriebsmodus in den robusten Ausfallmodus erfolgt nun explosionsfrei dadurch, dass die Anschlüssederart kontaktiert und dimensioniert sind, dass bei Überlastströmen von größer als dem Mehrfachen des Nennstromes des Leistungshalbleitersder Betriebsmodus in den Kurzschlussausfallmodus mit an dem Metallformkörperverbleibenden Anschlüsse ohne Bildung von Lichtbögen explosionsfrei wechselt.
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Patent (Offenlegungsschrift, Patentschrift, Gebrauchsmusterschrift) | |
| Veröffentlichungsnummer: | DE102014221687A1 | |
| Veröffentlichungsdatum | 28.04.2016 | |
| Internationale Patentklassifikation | H01L 23/62 | |
| Nachanmeldungen in anderen Staaten | CN000107112312A ; US020170338193A1 ; WO002016062589A1 |
