Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Beier-Möbius, Menia ; Lutz, Josef
Breakdown of gate oxide of 1.2 kV SiC-MOSFETs under high temperature and high gate voltage
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Konferenzbeitrag, referiert | |
| ISBN/ISSN: | 978-3-8007-4186-1 | |
| URL/URN: | http://ieeexplore.ieee.org/document/7499355/ | |
| Quelle: | PCIM Europe 2016, 10-12 May. Nuremberg, Germany. - Berlin Offenbach : VDE Verlag GmbH, 2016. - pp. 172-179 | |
| Freie Schlagwörter (Deutsch): | SIC-MOSFET , Gateoxid Zuverlässigkeit , Durchbruch Gateoxid | |
| Freie Schlagwörter (Englisch): | SiC-MOSFET , reliability gate oxide , gate oxide breakdown |
