Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Schulze, Hans-Joachim ;
Lutz, Josef
Infineon Technologies AG
Leistungsschaltmodul mit verringerter Oszillation und Verfahren zur Herstellung einer Leistungsschaltmodulschaltung
Power swicht module with reduced ocsillations and method for production of a power switch module
Kurzfassung
Ein Leistungsschaltmodul enthält ein Leistungshalbleiterbauelement (101a, 101b) mit drei Anschlüssen, die für einen Nennstrom gestaltet ist, und eine Freilaufeinheit (108a, 108b). Die Freilaufeinheit (108a, 108b) enthält eine pn-Diode (103a, 103b), die in ein erstes Halbleitermaterial mit einer ersten Bandlücke integriert ist, und eine Schottky-Diode (104a, 104b), die in ein zweites Halbleitermaterial integriert ist, mit einer zweiten Bandlücke, die größer ist als die erste Bandlücke. Die Schottky-Diode (104a, 104b) ist elektrisch parallel mit der pn-Diode (103a, 103b) verbunden.
Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
Institut: | Professur Leistungselektronik | |
Dokumentart: | Patent (Offenlegungsschrift, Patentschrift, Gebrauchsmusterschrift) | |
Veröffentlichungsnummer: | DE102014103325A1 | |
Veröffentlichungsdatum | 18.9.2014 | |
Internationale Patentklassifikation | H01L27/06 |