Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Lutz, Josef ;
Schulze, Hans-Joachim
Infineon Technolgies AG Austria
Halbleiterbauelement mit verbesserter Robustheit
Semiconductor Device with improved Ruggedness
Kurzfassung
Halbleiterbauelement, das aufweist: eine Anschlusszone (11), eine schwächer als die Anschlusszone (11) dotierte Driftzone (12) eines ersten Leitungstyps, einen Bauelementübergang zwischen der Driftzone (12) und einer weiteren Bauelementzone (14), und eine zwischen der Driftzone (12) und der Anschlusszone angeordnete Ladungsträgerkompensationszone (13) des ersten Leitungstyps, deren Dotierungskonzentration geringer ist als die der Anschlusszone (11), deren Dotierungskonzentration wenigstens abschnittsweise in Richtung der Anschlusszone (11) von einer minimalen Dotierungskonzentration zu einer maximalen Dotierungskonzentration zunimmt, wobei die minimale Dotierungskonzentration mehr als 1016 cm–3 beträgt, wobei die Ladungsträgerkompensationszone einen Bereich aufweist, in dem die Dotierung von 5·1016 cm–3 auf 2·1017 cm–3 ansteigt, wobei die Änderung der Dotierungskonzentration in diesem Bereich maximal 2·1021 cm–4 beträgt.
Kurzfassung in englisch
One aspect is a semiconductor component including a terminal zone; a drift zone of a first conduction type, which is doped more weakly than the terminal zone; a component junction between the drift zone and a further component zone; and a charge carrier compensation zone of the first conduction type, which is arranged between the drift zone and the terminal zone and whose doping concentration is lower than that of the terminal zone, and whose doping concentration increases at least in sections in the direction of the terminal zone from a minimum doping concentration to a maximum doping concentration, the minimum doping concentration being more than 1016 cm−3.
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Patent (Offenlegungsschrift, Patentschrift, Gebrauchsmusterschrift) | |
| Veröffentlichungsnummer: | DE102006046845B4 | |
| Veröffentlichungsdatum | 05.12.2013 | |
| Internationale Patentklassifikation | H01L 29/06 | |
| Nachanmeldungen in anderen Staaten | US000008354709B2 |
