Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Barthelmeß, Rainer ;
Basler, Thomas ;
Kellner-Werdehausen, Uwe ;
Lutz, Josef ;
Schulze, Hans-Joachim
Infineon Technologies Bipolar GmbH
Halbleiterbauelement mit optimiertem Randabschluss
SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH OPTIMIZED EDGE TERMINATION
Kurzfassung
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, aufweisend: – einen Halbleiterköper (21) mit einer ersten Seite (22), einer zweiten Seite (23) und einem Rand (24), – eine Innenzone (27) mit einer Grunddotierung eines ersten Leitungstyps, – eine erste, zwischen der ersten Seite (22) und der Innenzone (27) angeordnete Halbleiterzone (28, 61) des ersten Leitungstyps mit einer Dotierungskonzentration, die höher ist als die der Innenzone (27), – eine zweite, zwischen der zweiten Seite (23) und der Innenzone (27) angeordnete Halbleiterzone (29) eines zweiten, zum ersten Leitungstyp komplementären Leitungstyps mit einer Dotierungskonzentration, die höher ist als die der Innenzone (27), – wenigstens eine erste Randabschrägung, die sich in einem ersten Winkel (30) zur Erstreckungsebene des Übergangs von der zweiten Halbleiterzone (29) zur Innenzone (27) wenigstens entlang des Rands (24) der zweiten Halbleiterzone (29) und der Innenzone (27) erstreckt, wobei wenigstens eine vergrabene Halbleiterzone (41, 51, 81) des zweiten Leitungstyps mit einer Dotierungskonzentration, die höher ist als die der Innenzone (27), zwischen der ersten Halbleiterzone (28, 61) und der Innenzone (27) vorgesehen ist und sich im Wesentlichen parallel zur ersten Halbleiterzone (28, 61) erstreckt.
Kurzfassung in englisch
A semiconductor component comprising: - a semiconductor body (21) having a first side (22), a second side (23) and an edge (24), - an inner zone (27) having a basic doping of a first conduction type, - a first semiconductor zone (28, 61), which is arranged between the first side (22) and the inner zone (27) and is of the first conduction type and having a doping concentration higher than that of the inner zone (27), - a second semiconductor zone (29), which is arranged between the second side (23) and the inner zone (27) and is of a second conduction type, which is complementary to the first conduction type, having a doping concentration of higher than that of the inner zone (27), - at least one first edge chamfer extending at a first angle (30) with respect to the extension plane of the transition from the second semiconductor zone (29) to the inner zone (27) at least along the edge (24) of the second semiconductor zone (29) and the inner zone (27), wherein at least one buried semiconductor zone (41, 51, 81) of the second conduction type having a doping concentration higher than that of the inner zone (27) is provided between the first semiconductor zone (28, 61) and the inner zone (27) and extends substantially parallel to the first semiconductor zone (28, 61).
Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
Institut: | Professur Leistungselektronik | |
Dokumentart: | Patent (Offenlegungsschrift, Patentschrift, Gebrauchsmusterschrift) | |
Veröffentlichungsnummer: | DE102011087487A1 | |
Veröffentlichungsdatum | 06.06.2013 | |
Internationale Patentklassifikation | H01L 29/06 | |
Nachanmeldungen in anderen Staaten | WO002013079235A1 |