Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Schulze, Hans-Joachim ;
Lutz, Josef ;
Niedernostheide, Franz-Josef ;
Siemieniec, Ralf
Infineon Technologies AG
Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen n-dotierten Halbleiterzone in einem Halbleiterkörper und Halbleiterbauelement
Method for producing a buried n-doped semiconductor zone in a semiconductor body and semiconductor component
Kurzfassung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen n-dotierten Halbleiterzone in einem Halbleiterkörper, das folgende Verfahrensschritte aufweist: DOLLAR A - Erzeugen einer Sauerstoffkonzentration wenigstens in dem zu dotierenden Bereich in dem Halbleiterkörper, DOLLAR A - Bestrahlen des Halbleiterkörpers über eine Seite mit nicht-dotierenden Teilchen zur Erzeugung von Defekten in dem zu dotierenden Bereich, DOLLAR A - Durchführen eines Temperaturschrittes bei Temperaturen zwischen 380 DEG C und 500 DEG C, vorzugsweise zwischen 420 DEG C und 460 DEG C. DOLLAR A Die Erfindung betrifft außerdem ein Halbleiterbauelement mit einer nach diesem Verfahren hergestellten Feldstoppzone.
Kurzfassung in englisch
A method for producing a buried n-doped semiconductor zone in a semiconductor body. In one embodiment, the method includes producing an oxygen concentration at least in the region to be doped in the semiconductor body. The semiconductor body is irradiated via one side with nondoping particles for producing defects in the region to be doped. A thermal process is carried out. The invention additionally relates to a semiconductor component with a field stop zone.
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Patent (Offenlegungsschrift, Patentschrift, Gebrauchsmusterschrift) | |
| Veröffentlichungsnummer: | DE102004039208A1 | |
| Veröffentlichungsdatum | 24.01.2012 | |
| Internationale Patentklassifikation | H01L 21/322 | |
| Nachanmeldungen in anderen Staaten | US000008101506B2 ; US020100167509A1 ; US020060043470A1 ; US000007675108B2 |
