Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Baburske, Roman ;
Lutz, Josef ;
Schulze, Hans-Joachim ;
Siemieniec, Ralf
Infineon Technologies Austria
Stoßstromfeste Halbleiterdiode mit weichem Abschaltverhalten und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdiode
Surge-Current-Resistant Semiconductor Diode With Soft Recovery Behavior and Methods for Producing a Semiconductor Diode
Kurzfassung
Bipolares Halbleiterbauelement 100, insbesondere Diode, mit einer Anodenstruktur, die ihren Emitterwrart steuert, dass er bei kleinen Stromdichten klein ist und bei großen Stromdichten ausreichend groß, und einer optionalen Kathodenstruktur, die beim Kommutieren zusätzliche Löcher injizieren kann, sowie Herstellungsverfahren dafür.
Kurzfassung in englisch
The constituent (100) has surfaces (15,16) that are arranged in parallel with respect to semiconductor main portion (20). The metal coverings (8,9) is arranged on the surfaces respectively. An electric current path is arranged extending only through n dope zone in the semiconductor main portion from the metal covering (8) to the metal covering (9). Independent claims are included for the following: (1) method of manufacturing semiconductor diode; and (2) semiconductor diode.
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Patent (Offenlegungsschrift, Patentschrift, Gebrauchsmusterschrift) | |
| Veröffentlichungsnummer: | DE102009047808A1 | |
| Veröffentlichungsdatum | 26.01.2012 | |
| Internationale Patentklassifikation | H01L 29/861 | |
| Nachanmeldungen in anderen Staaten | JP002011086931A ; US020120018846A1 |
