Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Siemieniec, Ralf ;
Niedernostheide, Franz-Josef ;
Schulze, Hans-Joachim ;
Lutz, Josef
Infineon Technologies AG
Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen n-dotierten Halbleiterzone in einem Halbleiterkörper und Halbleiterbauelement
Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
Institut: | Professur Leistungselektronik | |
Dokumentart: | Patent (Offenlegungsschrift, Patentschrift, Gebrauchsmusterschrift) | |
Veröffentlichungsnummer: | DE102004039208A1 | |
Veröffentlichungsdatum | 23.02.2006 | |
Internationale Patentklassifikation | H01L 21/265 |