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Universitätsbibliographie

Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz


Lutz, Josef ; Schulze, Hans-Joachim
Infineon Technologies AG

Halbleiterbauelement mit verbesserter Robustheit

Semiconductor device with increased ruggedness


Kurzfassung

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, das aufweist: eine Anschlusszone (11), eine schwächer als die Anschlusszone (11) dotierte Driftzone (12) eines ersten Leitungstyps, einen Bauelementübergang zwischen der Driftzone (12) und einer weiteren Bauelementzone (14), und eine zwischen der Driftzone (12) und der Anschlusszone angeordnete Ladungsträgerkompensationszone (13) des ersten Leitungstyps, deren Dotierungskonzentration geringer ist als die der Anschlusszone (11), deren Dotierungskonzentration wenigstens abschnittsweise in Richtung der Anschlusszone (11) von einer minimalen Dotierungskonzentration zu einer maximalen Dotierungskonzentration zunimmt

Universität: Technische Universität Chemnitz
Institut: Professur Leistungselektronik
Dokumentart: Patent (Offenlegungsschrift, Patentschrift, Gebrauchsmusterschrift)
Veröffentlichungsnummer: DE102006046845A1
Veröffentlichungsdatum 03.04.2008
Internationale Patentklassifikation H01L 29/861

 

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