Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Lutz, Josef ;
Schulze, Hans-Joachim
Infineon Technologies AG
Halbleiterbauelement mit verbesserter Robustheit
Semiconductor device with increased ruggedness
Kurzfassung
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, das aufweist: eine Anschlusszone (11), eine schwächer als die Anschlusszone (11) dotierte Driftzone (12) eines ersten Leitungstyps, einen Bauelementübergang zwischen der Driftzone (12) und einer weiteren Bauelementzone (14), und eine zwischen der Driftzone (12) und der Anschlusszone angeordnete Ladungsträgerkompensationszone (13) des ersten Leitungstyps, deren Dotierungskonzentration geringer ist als die der Anschlusszone (11), deren Dotierungskonzentration wenigstens abschnittsweise in Richtung der Anschlusszone (11) von einer minimalen Dotierungskonzentration zu einer maximalen Dotierungskonzentration zunimmt
Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
Institut: | Professur Leistungselektronik | |
Dokumentart: | Patent (Offenlegungsschrift, Patentschrift, Gebrauchsmusterschrift) | |
Veröffentlichungsnummer: | DE102006046845A1 | |
Veröffentlichungsdatum | 03.04.2008 | |
Internationale Patentklassifikation | H01L 29/861 |