Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Volltext zugänglich unter
URN: urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-82228
Klug, Jan N.
Lutz, Josef (Prof. Dr.-Ing.) ; Wieck, Andreas (Prof. Dr. rer.nat.) (Gutachter)
Technologie und pysikalische Eigenschaften strahlungsinduzierter Zentren in Silizium
Kurzfassung in deutsch
Die Arbeit beschäftigt sich mit der Erzeugung und den Eigenschaften strahlungsinduzierter Defekte in Silizium. Zur Erzeugung der untersuchten Zentren werden Wasserstoff- und Helium-Ionenstrahlen im MeV-Bereich verwendet. Die Untersuchung erfolgt mittels Spreading-Resistance- und temperaturabhängiger Hall-Messungen.Betrachtet wird zunächst die Erzeugung einer n-Dotierung durch Wasserstoff-Implantation in Abhängigkeit von Implantationsparametern, - bedingungen und dem Ausheilprozess.
Für Helium-bestrahltes Silizium werden die Auswirkungen der Bestrahlung auf Widerstand, Ladungsträgerkonzentration und Beweglichkeit untersucht.
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Fakultät: | Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik | |
| Dokumentart: | Dissertation | |
| Betreuer: | Lutz, Josef (Prof. Dr.-Ing.) | |
| URL/URN: | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-82228 | |
| SWD-Schlagwörter: | Silicium , Defekt , Implantation , Störstelle , Halbleiter | |
| Freie Schlagwörter (Deutsch): | Halbleiter , Silizium , Defekt , Ionenimplantation , Störstelle , Protonen , Helium | |
| Freie Schlagwörter (Englisch): | semiconductor , silicon , defect , ion implantation , center , proton , helium | |
| DDC-Sachgruppe: | Ingenieurwissenschaften, Angewandte Physik, Elektrizität, Elektronik | |
| Tag der mündlichen Prüfung | 10.01.2012 |
